SI7252DP-T1-GE3
Vishay Siliconix
Deutsch
Artikelnummer: | SI7252DP-T1-GE3 |
---|---|
Hersteller / Marke: | Vishay / Siliconix |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET 2N-CH 100V 36.7A PPAK 8SO |
Datenblätte: |
|
RoHs Status: | ROHS3 -konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
---|---|
1+ | $2.17 |
10+ | $1.948 |
100+ | $1.5656 |
500+ | $1.2862 |
1000+ | $1.0658 |
Online -RFQ -Einreichungen: Schnelle Antworten, bessere Preise!
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
---|---|
VGS (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 250µA |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | PowerPAK® SO-8 Dual |
Serie | TrenchFET® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 18mOhm @ 15A, 10V |
Leistung - max | 46W |
Verpackung / Gehäuse | PowerPAK® SO-8 Dual |
Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
---|---|
Befestigungsart | Surface Mount |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1170pF @ 50V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 27nC @ 10V |
FET-Merkmal | Logic Level Gate |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 100V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 36.7A |
Konfiguration | 2 N-Channel (Dual) |
Grundproduktnummer | SI7252 |
SI7252DP-T1-GE3 Einzelheiten PDF [English] | SI7252DP-T1-GE3 PDF - EN.pdf |
MOSFET 2N-CH 40V 20A PPAK SO-8
SI72XX HALL EFFECT MAGNETIC SENS
MOSFET 2N-CH 20V 60A PWRPAK 8-SO
MOSFET 2N-CH 20V 60A PWRPAK 8-SO
DUAL N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFE
MOSFET 2N-CH 30V 8A PPAK SO-8
VISHAY SO-8
DEMO AND DEVELOPMENT KIT FOR SI7
MOSFET 2N-CH 30V 8A PPAK SO-8
MOSFET 2N-CH 20V 60A PPAK SO-8
MOSFET 2N-CH 20V 60A PPAK SO-8
MOSFET 2N-CH 30V 25A PPAK SO-8
MOSFET 2N-CH 12V 60A PPAK SO-8
VISHAY SO-8
VISHAY QFN8
MOSFET 2N-CH 30V 25A PPAK SO-8
MOSFET 2N-CH 100V 36.7A PPAK 8SO
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() SI7252DP-T1-GE3Vishay Siliconix |
Anzahl*
|
Zielpreis (USD)
|